稳定后，与电压正极相连的金属平板将呈现一定量的正电荷，而与电压负极相连的金属平板将呈现相等量的负电荷。这样，两个金属平板之间就会形成一个静电场。
雨巷
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正在尝试使用 P Mosfet 作为开关，其栅极由 N MOS 控制。原理图如图所示。 我正在测试电路负载部分。一切似乎都运转良好。 直到那时我才在源极侧使用电容器，但一旦加载这些电容器（以红色圈出），MOSFET 的漏极和源极开始显示短路，并且 Vdrain 始终处于 24V。 我在 TP8 处提供 500ms 的 TTL 脉冲。 我不知道为什么会发生这种情况。无论我是否在 P Mos r 源上加载电容（红色圆圈），它无论如何都会处于 24V 并且应该工作正常。 我在这里缺少什么？
