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请教各位老师，关于N沟道增强型MOSFET的基本结构，它呈现一种左右对称的拓扑结构。首先，在P型半导体上形成一层SiO2薄膜绝缘层，然后通过光刻工艺，在其上扩散出两个高掺杂的N型区，分别标示为漏极D和源极S。这两个区域通过电极引出。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝，形成栅极G。P型半导体被称为衬底，用符号B表示。请问，这种结构的MOSFET在电子器件中的应用有哪些特殊之处？
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迎晖
