落霞与孤鹜齐飞
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我正在设计一个带有 N 沟道 MOSFET 的 H 桥来控制 12V - 1.35A 直流电机。H 桥将由 Arduino 的数字输出控制。我做了一些研究，发现我需要使用自举电路，据我了解，这是通过确保来自NFET的源极和栅极的信号来提高MOS开关（晶体管的导通电阻）的线性度互相跟随。为此，在晶体管的栅极和源极之间添加一个电容器，使得栅极和源极信号相互跟随。 我找到了一个自举电路并将其包含在 H 桥设计中，但最终没有了解自举电路的工作原理。 电容器应该在哪里接地？ 如何计算升压电阻和电容的值？ 电路是否正确？模拟器上可以，不知道现实中是否可以。 也欢迎对 H 桥设计提出任何其他意见。
