落霞与孤鹜齐飞
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下面是整个电路，运算放大器生成 Vsink 电压，然后连接到 NMOSFET 的栅极。 当 NMOSFET 的 Tox 为 1e-7 时，电容较小，因此 Vsink 电压曲线符合预期。(-15V->15V) 然而，出于设计原因，我需要将 Tox 设置为 1e-9，但由于 NMOSFET 处的氧化物电容较大，运算放大器的强度不足以驱动 Vsink。 应该如何修改运算放大器（更改参数）以在 Tox=1e-9 时提供预期的 Vsink？
