对于图中的电路,L1是由MOSFET驱动的喷油器,确保MOSFET的参数和工作点适合所需的应用。
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原理图看起来像这样。 L1是喷油器,由MOSFET驱动,由MCU控制。 根据我到目前为止所收集到的信息,像这样连接 D1,而不是在 L1 上连接二极管,应该会让电感器中的能量衰减得更快。这就是我的目标。 不过 D1 的放置让我有些担忧。不确定是否存在这种可能性,但如果二极管坏了并开始导通怎么办 - 结果将导致发动机燃油溢出。 这就引出了主题——如何计算 D1 的最佳参数? 我知道,D1的击穿电压应该高于电源电压,低于M1的击穿电压。L1 的电感未知。我知道,电阻为 16.6 欧姆,电源电压范围为 8 至 14V。占空比会有所不同,我不知道如何考虑这一点。看来流过 L1 的最大电流约为 0.9A。这是否意味着 D1 应该能够处理 12W 左右的功率?看起来好像很多。如果可能的话,我想坚持使用 SMD 元件。 如果还有其他可能的选择,可以改善驱动电路,那么我很乐意接受这些选择进行讨论。