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正在绘制 2 个类似设置的 NMOS 的 IV 特性。在这里，我将 Vg 从 -13V 扫描到 13V，将 vdd 从 0 扫描到 50。 请注意，唯一的区别是 vdd 对于一个为正，而对于另一个为负。另一端都接地。 但为什么我会得到 2 个不同的 IV 特征结果？它们不应该是一样的吗？当 nmos 以相同的 Vg 导通时，Id 曲线难道不应该只与漏极和源极电压的差异相关吗？
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