回复显微星球：纳米环栅器件(GAA)正在逐步取代FinFET成为集成电路中的核心器件
2016年，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究团队，首次提出自对准金属栅的垂直环栅纳米晶体管并开展了系统研究，在器件结构、工艺、集成技术与应用等方面获得了一系列进展。该团队陆续研发的VSAFET、VCNFET、Fe-VSAFET、3D NOR等成果，并多次作为封面文章或编辑特选文章。 近日，该团队利用自主研发的自限制ALE(原子层刻蚀)工艺，实现了锗对锗硅材料和晶面的双重选择性精确刻蚀，制备出由(111)晶面构成的沙漏型单晶Ge沟道自对准垂直纳米环栅器件。相关研究成果发表在《美国化学学会纳米杂志》(ACS NANO)上。
