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四种增加3D NAND闪存存储密度的方法

 E子

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增加3D NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度技术的基本技术预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间,新的基础技术的引入和转化很可能会变得更加普遍。

迄今为止,3D NAND闪存的存储密度主要通过采用四种基本技术来提高。分别是“高层化”“多值化”、“布局变更(存储单元阵列和CMOS外围电路的单片层叠)”、“微细化(缩短横向尺寸)”等。

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回复E子:未来技术创新还是会从这些技术演进而来
回复E子:300层已经不是困难了,再往后400/500层都有可能

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