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3D NAND 闪存和 DRAM 内存创新技术的领先开发商NEO Semiconductor早前宣布了3DX-DRAM 模拟的结果。半导体制造商和工程师使用 TCAD 来模拟新兴技术并优化新产品。其 3D X-DRAM 技术可以生产 230 层的 128Gbit DRAM 芯片——是当前 DRAM 密度的八倍。
