回复电子聊聊看：之前出FinFET的时候就知道，环绕式栅极是早晚的事儿。
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在第69届IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，国产存储第一大厂长鑫带来了一篇论文，其在技术上有了突破，可以搞定3nm技术芯片。 从长鑫发表的论文看，这是展示了其在环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术上的突破，而它可以用在3nm工艺制程芯片上，而当然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。由于设备制程管制，长鑫现在还无法生产和制造，但这个论文已经显示，他们拥有了这个技术实力，而这样而是国产芯片自主突破的一个缩影。
