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芯元基实现Micro LED巨量转移技术突破,实现转移芯片位置零偏差

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12月9日,芯元基宣布公司在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上,成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺,达到了转移芯片位置零偏差。

转移技术一直是推进Micro LED技术的重要阻力之一,而芯元基半导体的转移工艺可在芯片的衬底生长阶段直接完成,不仅能够保证芯片转移后位置零偏差,还减少了工艺步骤,实现降本。

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回复玩转LED:是一项非常重要的技术突破,对于Micro LED产业的发展具有重要意义。
回复玩转LED:这项技术突破意味着芯元基在Micro LED技术领域取得了重要的进展,提升了他们在该领域的竞争力。
回复玩转LED:随着Micro LED市场的不断扩大和技术的不断进步,拥有先进的巨量转移技术将有助于芯元基在市场上获得更大的优势和市场份额。
回复玩转LED:成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺,达到了转移芯片位置零偏差。

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