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美国加州大学圣地亚哥分校博士毕业生张子辰和合作者基于氮化硅薄膜的固态转移掺杂技术，开发出一种碳纳米管 N 型场效应晶体管，它能与晶体管的延伸区直接接触。 研究中，他们获得了 P 型和 N 型的场效应晶体管，这些晶体管的器件结构，让其可以更准确地提取固有器件参数。同时，本次工作也解决了碳纳米管均匀可控的掺杂问题，能帮助人们更好地提升碳纳米管半导体器件的性能。
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