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将Micro LED电阻降低了40%!上海大学开发芯片键合新技术,提升Micro LED性能

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12月18日消息,上海大学研究团队通过使用分层金-铟-金(Au/In/Au)金属夹层来增强倒装芯片接合工艺,该工艺将Micro LED电阻降低了40%,同时还消除了接合表面的裂纹和间隙, 并且Micro LED阵列表现出高亮度显示性能。

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回复科技仓:这种集成技术是通过倒装芯片键合工艺来实现的,该工艺以物理和电子方式将Micro LED 芯片连接到硅背板上的键合焊盘。然而当像素尺寸缩小到50微米以下时,这种粘合界面很容易因微小缺陷和机械应力而失效。
回复科技仓:该研究小组将这些分层连接集成到一个15×30像素的Micro LED 演示阵列中,该阵列具有20×35微米大小的光源。结果这些面板表现出优质的显示性能,包括低工作电压和创纪录的高亮度,达到每平方米178万坎德拉。
回复科技仓:这一技术的研发,不仅有助于提升Micro LED的性能,还有望推动整个显示行业的技术进步。
回复科技仓:该技术还有助于提高Micro LED的可靠性和稳定性,为其在实际应用中的广泛应用奠定了基础。
回复科技仓:该研究成果具有重要的应用价值和社会效益。

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