回复科技仓：金刚石或许就是第四代半导体材料
科技仓
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早稻田大学和 Power Diamonds Systems (PDS) 开发了一种结构，其中金刚石表面覆盖有氧化硅终端（C-Si-O 终端），当栅极电压为 0V 时，该结构会关闭晶体管。为此他们宣布开发出一种“常关”钻石 MOSFET。 PDS对水平氧化硅端接金刚石MOSFET的最大漏极电流超过300 mA/mm，垂直氧化硅端接金刚石MOSFET的最大漏极电流超过200 mA/mm。据说这是该系列中常关金刚石 MOSFET 的最高值。 两家公司均声称，通过用C-Si-O键覆盖其表面，它们已成为比传统CH表面更耐高温和更耐氧化的稳定器件，该公司认为其可用性使其适合大规模生产。
