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12月19日消息，韩国科学技术院研制了一种巨量转移新方法μVAST，该技术通过选择性调节微真空力的方式可实现巨量转移各种不同材料、尺寸、形状和厚度的Micro LED。 该技术采用激光诱导蚀刻方法在玻璃基板上制造微孔阵列，并与真空通道连接，通过控制微真空力选择性拾取和放置Micro LED芯片。与传统的转移方法相比，该技术具有更高的粘附可切换性，能够将各种不同材料、尺寸、形状和厚度的微型半导体高效转移组装到任意基板上。
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