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2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制备出直径6英寸的β型氧化镓(β-Ga2O3)单晶。通过增加单晶衬底的直径和质量,可以降低β-Ga2O3功率器件的成本。 β-Ga2O3具有比SiC和GaN更大的带隙能量,有望实现更高性能的功率器件。FLOSFIA公司已商品化α-Ga2O3的SBD,并计划提高产能。
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