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CFET结构被誉为半导体行业的未来

 芯闻速递

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互补场效应晶体管(CFET)晶体管结构采用晶体管垂直堆叠结构,能够缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题,也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。

CFET结构“初露端倪”,让业界看到了晶体管结构新的发展前景。然而,业内专家预估,CFET结构需要7——10年才能投入商用。

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回复芯闻速递:采用CFET垂直堆叠架构的芯片,相较采用Nanosheet(GAA)架构的器件,面积最多能缩小50%。
回复芯闻速递:采用CFET结构的芯片,需要先解决用激光进行热退火带来的成本问题,才能加快商用的步伐。
回复芯闻速递:台积电制定万亿级晶体管芯片封装计划,确实是一项重要的技术突破。

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