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罗切斯特大学的研究人员已经找到了如何对特定的 2D 忆阻器进行应变,以使其在任何此类 2D 器件中具有最快的开关速度和最低的工作能量。罗切斯特团队向 2D 薄膜添加了可控量的应变,迫使其在两个阶段之间的边缘摇摇欲坠。这使得开关速度和开关能量降低了几个数量级——仅需要 0.1 伏和 120 阿焦耳即可进行开关。另外,两种状态之间的电阻比为 10 8,是所有 2D 忆阻器中最高的。
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