回复电子大世界：这么好的研究应该尽快商业化
电子大世界
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清华大学副教授刘锴和团队基于双极性二碲化钼（MoTe2）二维半导体沟道材料，提出一种基于沟道梯度掺杂机制的二维可重构器件构建新方法。 采用这种方法可以控制沟道材料上的气体吸脱附，从而能在结构最简单的单栅极可重构器件上，实现丰富的可重构功能。通过此，可以解决二维可重构器件低结构复杂度、与丰富的可重构功能之间的矛盾难题。 当前，集成电路的微缩化挑战正在不断增加。而本次提出的基于梯度掺杂的可重构器件，让每个晶体管都拥有可重构的特性。未来，假如使用这款可重构器件来制作集成电路，就有望实现高灵活性、高性能、多功能的新型芯片。
