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三星将DRAM芯片堆叠到12层,带宽和容量均提升超50%

 智者先行

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三星电子官方宣布,成功开发出业界首款36GB 12H(12层堆叠)HBM3E DRAM,巩固了在高容量HBM市场的领先地位。

通过采用TSV技术,三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层,从而实现业界最大的36GB HBM3E 12H容量。

据介绍,HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量,相比于前代8层堆叠的HBM3 8H,在带宽和容量上提升超过50%。

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