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美光增强版UFS开始送样,读写速度均超4000MBps

 微电路观察

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美光宣布开始送样增强版通用闪存(UFS) 4.0 移动解决方案,该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS封装 (9 x 13mm) 。

新款内存基于先进的232层3D NAND技术, 美光UFS 4.0解决方案可实现高达1TB容量,其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。

美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达4300MBps和4000MBps,较前代产品相比性能提升一倍,为数据密集型应用提供了更出色的使用体验。

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回复微电路观察:专门偷窃别人的技术,打压别人的技术,有进步也不是光明正大的
回复微电路观察:新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%,使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

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