回复科技仓：厉害啊！这些科研人员真的好了不起
科技仓
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氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。 中国科学院半导体研究所赵德刚研究员、杨静副研究员长期聚焦于GaN基光电子材料与器件研究。2016年研制出GaN基紫外激光器2022年实现电注入激射AlGaN紫外激光器（357.9nm），同年，实现室温连续输出功率3.8W的大功率紫外激光器。近期，本团队在GaN基大功率紫外激光器方面又取得了重要进展，发现了紫外激光器温度特性差主要与紫外量子阱对载流子的限制作用弱有关，通过引入AlGaN量子垒新结构等技术，显著改善大功率紫外激光器的温度特性，紫外激光器的室温连续输出功率进一步提高到4.6W，激射波长386.8nm。
