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美新半导体:“一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法”专利获授权

 黑科技看看

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天眼查显示,美新半导体(无锡)有限公司近日取得一项名为“一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法”的专利,授权公告号为CN108574042B,授权公告日为2024年3月12日,申请日为2018年6月12日。与现有技术相比,本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。

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