回复E子：中国有自己的节奏，目前所有零件都已攻克，在整合阶段
E子
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众所周知，光刻技术就直接定义了芯片工艺，直接决定芯片的制程水平和性能水平。目前最先进的EUV光刻机，光源是13.5nm波长，而NA达到了0.55，要再提升非常难，就算能提升，成本也会非常高。同时工艺因子达到了0.25，也是理论上的极限，要突破更难，所以EUV光刻机，要再提升，很困难了。 科学家们，提出了一种新的方案，叫做BEUV技术。这个技术，是采用6.X nm的光源，它比EUV上采用的13.5nm波长更短，这样分辨率更高，同时还有焦深DoF，能够带来更大的工艺容忍度。采用6.Xnm波长后，NA的数值、光刻工艺因子，也可以重新升级，然后实现新一轮的变化。 按照科学家们的预测，到2035年后，EUV光刻机应该会被BEUV光刻机替代掉，因为到时候的芯片工艺将低于1nm，只有BEUV光刻机，才能胜任了。
