回复芯闻速递：氧化镓比第三代碳化硅、氮化镓更难
芯闻速递
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2月，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。 氧化镓(β-Ga2O3) 因其优异的性能和低成本的制造成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一，主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域具有广阔应用前景。
