回复汤圆爱科技：就是防止芯片被击穿
汤圆爱科技
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外延生长(Epitaxy growth)就是在单晶基板(衬底)上长上一层单晶膜(单晶层)，这层单晶膜称为外延层(epilayer)。此基板经常但不一定与外延层有相同材质及组成。外延层与基板是相同材质时称为同质外延生长(homoepitaxial growth)，外延层与基板是不同材质时称为异质外延生长(heteroepitaxial growth)。因此，外延层(epilayer)的晶体结构是基板晶体结构的延伸。 在独立(discrete)元件二极体制程中，使用高掺杂浓度硅基板作为起始材料，对电流而言有较低的串联电阻，但高浓度会产生较低的反向击穿电压(击穿电压与掺杂质浓度成反比)，故在实际制造接面时在高掺杂浓度基板上生长一层同样导电型含掺杂质较少的外延层，一方面可以有较低的串联电阻，一方面可以有较高的击穿电压，达到较佳功效。
