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国产光刻胶迎来新进展

 电子芯技术

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据湖北九峰山实验室官微消息,九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

据介绍,该研究通过巧妙的化学结构设计,以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”,最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差(SD)极小(约为0.05)、性能优于大多数商用光刻胶。

且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。

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回复电子芯技术:2030年能出来DUV全套多重曝光的7nm的国产都真的无敌了,不到15年一下子就追上2019年之前的水平了,走完了之前花了70年才走到的技术点,7nm的工艺除了超大规模的计算核心不行其它的 闪存 内存 电路控制 信号处理更别说了这些市场能占下来就已经很厉害了
回复电子芯技术:从初步验证到生产线投产,应该不是一两年就能完成了吧?感觉进度有点慢了啊!
回复电子芯技术:真的没必要追最新的制程,现在只有手机平析用得上,性能提升20-30%花费的成本根本不成正比。DUV还有潜力可挖,一旦产业链上下游打通了,综合成本是国外成本20-50%之间根本不成问题的,关键领域我加多一倍的设备,算力不就和你一样了?但是成本还是比你低啊。
回复电子芯技术:慢慢来吧,最尖端的其实需求量不大,主要就是手机用。国内主流的普通设备芯片用的45nm 28nm比较多,量还很大
回复电子芯技术:有多少人知道全世界每年光刻胶销售额是多少?120亿美元, 全世界就这点市场需求,中国一投产,感觉世界那几家光刻胶厂子又要倒闭了....
回复电子芯技术:相信只要我们足够团结,足够坚定,构建完整的中国半导体产业链,实现国产芯片的自给自足。

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