回复OLED大杂烩：表明了长波长InGaN-based Micro LED的巨大潜力
OLED大杂烩
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近年来，氮化铟镓基（InGaN-based）的Micro LED受到重视，但高铟含量的长波长InGaN-based Micro LED存在量子侷限史塔克效应等不利因素。鸿海研究院、阳明交大、台大及沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学的研究团队跨国合作，开发长波长Micro LED阵列用于VLC应用。通过调整InGaN量子井中的铟含量，实现了黄光与红光Micro LED，表现出高外部量子效率和优良传输性能。这些结果有望推动高速VLC和微型显示技术的进步，为不同技术领域带来变革性机遇。
