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铠侠和三星都宣称要搞定1000层闪存

 芯圈那些事

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铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存,但尚未透露采用的新技术和工艺。目前堆叠层数最多的是SK海力士的321层闪存,预计2025年上半年量产。三星也计划在2030年实现1000层闪存,竞争激烈。

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回复芯圈那些事:性能在倒退,使用寿命也在倒退。 整个科技发展就是为了收割韭菜。。。。最终和传统机械硬盘一个下偿。。。。
回复芯圈那些事:三星的V-NAND已经推进到第九代,将在明年初量产,基于双堆栈架构,可达成业界最高堆叠层数,预计超过300层,再往后的第十代则会达到430层左右。
回复芯圈那些事:铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势,因此有必要培育存储级内存(SCM)等新型存储产品业务。
回复芯圈那些事:在 AI 热潮下,DRAM 同 NAND 之间的性能差距正在拉大,而 SCM 可填补这一空白。

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