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我国科学家成功生长出单层二硫化钼单晶薄膜

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中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心的张广宇研究员和杜罗军研究员等人,基于前期在高质量二维二硫化钼晶圆外延生长方面的成果,提出了一种界面缓冲层控制的新策略。即通过精确地控制前驱体的比例,调控低对称界面缓冲层的形成及生长动力学,他们在工业兼容的 c 面蓝宝石衬底上,以外延方式生长出了 2 英寸的单层二硫化钼单晶薄膜。

根据最新技术路线的预测:二维芯片技术将于 2034 年正式实现商业化,从而提升“后摩尔时代”集成电路性能。

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