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华为公布新专利:只要处于上电状态,SRAM中写入的信息就不会消失

 数码界的艺术家

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华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利,公布号为CN117858494A。

静态随机存储器(SRAM)是一种基于触发器逻辑电路的半导体存储器。只要处于上电状态,SRAM中写入的信息就不会消失,不需要刷新电路。传统的硅(Si)基SRAM包括6个金属氧化物半导体场效应品体管。

在计算机存储体系结构中,SRAM的存储速度较快,主要用于高速缓存,一般集成在中央处理器(CPU)中。随着计算机性能的不断提升,SRAM作为数据交换的重要媒介,在CPU中所占的面积越来越大,导致功耗、性能、面积和成本发生严重的退化。					
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回复数码界的艺术家:华为有人才,也有财力,更有任总高超的组织才能!我相信只要地球上的人能够做出来的事情,华为下定了决心也一定都能做出来!
回复数码界的艺术家:我只知道晶体管是一个个小开关,开关是用电压去控制的,这发明是不是意味着速度更快,更省电?

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