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国产企业成功实现8英寸SiC衬底生长

 摩尔后时代

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近日,青禾晶元通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得了重要进展,在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底,进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位,有望加速8英寸SiC衬底量产进程,为产业界客户提供更具竞争力的价格。

青禾晶元计划建设国内首条复合SiC衬底生产线,并已完成了多款设备的开发及量产。

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回复摩尔后时代:在2023年强劲的增长势头下,晶盛机电有望凭借其独有的创新能力和市场适应性在竞争激烈的光伏、半导体市场保持竞争优势和市场地位。展望未来,公司表示,将继续通过技术创新和市场扩展,加强在半导体和光伏设备市场的领导地位

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