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三星将量产第九代NAND闪存,明年量产第十代

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三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。这种方法虽然更复杂,但是良品率可以得到很好的保障,而且可以轻松进一步拓展。

按照三星的规划,2025年下半年将量产第十代V-NAND,进一步堆叠到430层。

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回复电子PCB:不要被误导,闪存颗粒的寿命没必要太在意,绝大部分人根本玩不到寿命终结。固态真正要关注的是主控,一个烂主控,买回来几天几个月就掉盘,你跟我说寿命有什么意义?
回复电子PCB:以前,固态硬盘涨价,存储卡也会跟着涨。为啥这一次固态涨这么厉害,存储卡价格没怎么动??
回复电子PCB:预计三星将带来 990 Pro 系列的继任者,采用 PCIe 5.0 接口的新一代旗舰 SSD。
回复电子PCB:2022 年三星在 "Samsung Tech Day 2022" 上提出了长期愿景:到 2030 年会将层数提高至 1000 层。
回复电子PCB:海力士好像也是要搞1000层闪存,看谁先实现

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