回复仪器新知：本工作不仅表明Ga2O3材料是一种非常有前景的高能光子探测材料，也为兼具高灵敏度、高响应速度的探测器设计提供了一种新的方案。
仪器新知
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近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组在氧化镓高能光子探测器研究中取得新进展。针对宽带隙半导体高能光子探测器在探测灵敏度及响应速度等方面的不足，该课题组基于多晶富镓的氧化镓材料(PGR-GaOX)首次提出通过耦合界面热释电效应和光电导效应来提高探测性能的设计策略，该工作充分体现了热释电效应在半导体光电探测领域的应用潜力，为实现高灵敏、高速探测器提供了一种新的参考，相关成果以“Pyroelectric Photoconductive Diode for Highly Sensitive and Fast DUV Detection”为题发表于国际知名期刊《Advanced Materials》上。
