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韩国存储芯片制造商 SK 海力士周三表示,计划投资 5.3 万亿韩元(约合 38.6 亿美元)在韩国建设一家新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。 SK海力士表示,新生产基地旨在增加DRAM产能,重点是HBM。
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