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三星首款3nm芯片成功流片!

 科技观察

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三星宣布,3nm芯片顺利流片,为芯片的大规模量产做好了准备。

据悉,三星与Synopsys公司合作,双方对整个芯片制造过程进行微调,从而最大限度提升芯片良率。

这是三星第一款3nm芯片,它采用Gate All Around(GAA)工艺,三星GAA设计被称为MCBFET,即多信道桥式FET。

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回复科技观察:不看广告看疗效,即使有多次注水劣迹,但还是要看新工艺实际水平。如果能战N4P,还更便宜,那就是好东西

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