回复仪器学霸:在1.15 m处达到5.55×1012琼斯,可媲美InGaAs基探测器
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由于在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,市场对近红外(NIR)和短波长红外(SWIR)光谱对高像素数、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的短波红外光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),但其存在暗电流高和制造工艺复杂等局限性。 据外媒报道,华南理工大学(South China University of Technology)的研究人员创建出基于有机半导体的红外光电探测器,有望改变成像技术。相关研究发表于期刊《高分子科学(Chinese Journal of Polymer Scienc)》,并表明这些有机光电二极管可以在从近紫外到短波长红外的广泛波长范围内工作,其性能优于传统的无机探测器。