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SiC的硬度比Si的硬度大得多,接近金刚石的硬度(莫氏硬度10),另外SiC的化学惰性很大,一般不与化学品,气体等反应,需要在特定条件下才能发生反应。 而我们使用的是RIE刻蚀机,RIE刻蚀主要是物理轰击与化学反应。由于SiC较硬,物理轰击的效果不明显,而且化学蚀刻对其的作用也有限,这就导致硅片更厚反而刻的更快更好,而SiC更薄,反而刻的更慢。
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