理论上当Q1导通的时候，Q2关断，VCC是24V，输出压降为24V减去稳压管的6.8V，再减去Q1的导通压降，就是16V左右。当Q2导通的时候，Q1关断，输出压降就应该是稳压管的-6.8V减去Q2导通压降，应该是-6V左右啊现在问题主要在于Q1导通时候示波器测量压降为4V左右，更换三极管之后情况相同。
谢主龙恩
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碰上个大难题！英飞凌600V 50A的三相桥IGBT，使用HCPL316J驱动芯片，相关电路图如图1。电路中使用24V开关电源供电，即VCC1和VEE1为24V，Q1为NPN型三极管，Q2为PNP型三极管。电路设计输出驱动高电平+15V，低电平-6.8V。ZD1为6.8V稳压二极管。在测试过程中，连接IGBT的GE端输出信号始终高电平+16V左右，满足设计要求，但是低电平只有-4V左右，波形如图2。测试过程中发现Q1 NPN三极管的CE两端电压高电平24V，低电平不是正常的导通电压，而是4V左右，波形如图3。Q2 PNP三极管的CE两端电压高电平0.2V左右，低电平-20V，波形如图4。三极管已经确定是完好的，改变驱动信号频率情况不变，稳压二极管两端保持6.8V。请问：NPN三极管导通过程中电压为什么会这么高？驱动波形中负压距离设计值差很多。
