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关于单相逆变器中间桥臂无功电压尖峰RC吸收问题特来...

 江布拉克

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关于单相逆变器中间桥臂无功电压尖峰RC吸收问题特来求教!如图使用的是heric拓扑逆变器,中间桥臂在无功的时候stress很高,黄色为电容电压,绿色为stress 使用220p 50欧姆电阻RC吸收,电容上电压看不出来吸收变化,电阻改为25欧姆,电容电压随尖峰变化,但吸收不明显。此时电阻损耗已经0.6W,无法加大电容。请问老师:layout已经定型,没有改善空间,RC吸收是不是没有改善空间了?是否可以RCD钳位来钳位并减小电阻损耗?

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根据你的描述,当电阻从50欧姆减小到25欧姆时,电容电压随尖峰变化,但吸收不明显。这可能是因为电容值太小,无法充分吸收能量;或者电阻值仍然偏大,导致电容放电过慢。
S5\S6?此处正是RCD钳位的用武之地,如果交换一下位置则更甚。
请问一下,S5和S6是同个驱动信号吗?前面S1到S4是全部高频驱动还是一半高频一半工频?
分析了一下,你这个拓扑按道理是Q5、Q6管子是会被前面输入电压嵌位的;出现尖峰是应为前面H4桥输出到电感之间的走线有寄生电感和Q5、Q6体寄生电容之间谐振;看一下走线还有没有机会优化一下,没得优化的话就只能加吸收;

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