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求正解!受老工程师的影响,说这个体二极管容易导致发...

 江布拉克

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求正解!受老工程师的影响,说这个体二极管容易导致发热,所以必须选反向恢复时间短的。之前也没注意过。就在刚才我分析了一下,发现只要开关频率不高,就算是容性或者感性,对反向恢复时间要求并不高呀,反而正向压降还有热阻才是关键。不知道想的对不对?

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当开关频率较高时,反向恢复时间对二极管的性能影响较大。因为在每个交流周期内,二极管必须有足够的时间完成从正向到反向的状态切换。如果反向恢复时间占了整个周期的比例比较大,那么在高频率下,二极管就不足以有效地完成状态切换,导致其性能受限。
对此问题一言以概之IGBT更适用于高压大电流,频率相对较低(20KHZ左右)MOSFET更适用于高频小电流(几十KHz-几MHz)
mos可以使用更高的频率,同时具有更低的导通电阻,效率更高一些,但是成本高一些;IGBT使用频率一般为40K以下,大电流使用比mos有优势,成本较低。

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