辅助绕组有电流峰值影响LED恒流精度 我在学习反...

能貼出電路和 transformer 相關的 spice netlist ?有沒有 使用 snubber circuit ?? switch mos 使用的 model ? 為何一開始使會出現 CCM MODE ? 你有抽電流嗎? 一開使用 CCM 後變DCM MODE會不會模擬有問題 ?一般 Vaux 會出現類似 PSR 那類有ring 那才是正確的的至少 實際你量 psr or flyback 都是波型.

我使用過 hspice transformerL1 np1 np2_0 700uL2 ns1 ns2 50uL3 nt1 nt2 35uK1 L1 L2 0.7K2 L1 L3 0.7l_leak np2_0 np2 10u * 漏感Vaux from ns2 會看到類似 flyback ring .但是電感放電電流不對另外 flyback 本身 ring 會和 snubber , mos parastic R-c 都會有關係當然要帶進來才接進真實.為何你的電感電流比較真. 我 hspice sim 電感會是三角放電感覺跟本沒把能量轉到 2次側=== 下面是 ST 4n60 like MOSFET spice model , 因為引線電感會使 hspice 不收斂所以 別人給的是改掉引線電感 ..SUBCKT M4NK60 1 2 3rLG 2 4 7.5nrLS 12 3 7.5nrLD 6 1 4.5nRG 4 5 6.199RS 9 12 0.361E-01RD 7 6 1.458RJ 8 7 0.752E-01CGS 5 9 0.591E-09CGD 7 10 0.645E-09CK 11 7 0.175E-10DGD 11 7 STB4NK60Z_DGDDBS 12 6 STB4NK60Z_DBSDBD 9 7 STB4NK60Z_DBDMOS 13 5 9 9 STB4NK60Z_MOS L=1u W=1uE1 10 5 101 0 1E2 11 5 102 0 1E3 8 13 POLY(2) 6 8 6 12 0 0 0 0 0.438E-01G1 0 100 7 5 1uD1 100 101 STB4NK60Z_DIDD2 102 100 STB4NK60Z_DIDR1 101 0 1MEGR2 102 0 1MEG.ENDS M4NK60.MODEL STB4NK60Z_MOS NMOS ( LEVEL=3 VTO=3 PHI=0.943 IS=0.1P JS=0 THETA=0.171E-02 KP=4.002).MODEL STB4NK60Z_MOS NMOS ( LEVEL=3 VTO=4.655 PHI=0.943 IS=0.1P JS=0 THETA=0.171E-02 KP=4.002).MODEL STB4NK60Z_DGD D ( IS=0.1P CJO=0.184E-12 VJ=0.752 M= 0.321).MODEL STB4NK60Z_DBD D ( IS=0.1P CJO=0.101E-12 VJ= 0.758 M= 0.354 ).MODEL STB4NK60Z_DBS D ( IS=0.1P BV= 620 N=1 TT= 0.384E-06 RS= 0.155E-01).MODEL STB4NK60Z_DID D ( IS=0.01P RS=0 BV=630 )

将负载电阻持续升高，如果辅助绕组电流波峰消失请告诉我。

我也来说句，因为之前做过PSR LED的系统。之前也是做恒流输出。输出电流的线性调整率是可以改善的，但是负载调整率却不可以改善。我讲讲我关于负载调整率的见解，辅助绕组的检测端口用于检测过零信号（ZCD检测），但是这个过零检测存在斜率，这个斜率会随着输出电压的变化，影响过零点的检测。因为过零点的阈值采样在芯片内固定，因此不同的输出电压，过零点判断就存在较大的偏移，这个很难纠正。TI的PSR LED驱动芯片是没有负载调整率的指标的。士兰微的PSR LED SD6857写了一篇期刊论文，提了负载调调整率，但是看它的数据手册可以看到，原边检测端的检测电阻是可调的，各种具体就不好猜测。其他的大厂都是没有负载调整率指标的，IEEE的论文部分是有的，个人对于负载调整率这个指标在PSR CC 输出下存在保持质疑态度。

个人建议 先做non-isolation simulation，ok了再考虑增加transformer，off-line 的情况另外关于system的问题，你可以请教贵公司的AE

大大好像不是用Pspice模拟；另外，会不会是功率二极体切换速度不够快造成的?

辅助供电也消耗电