把电感电流反射到原边（加入效率的考虑），再加上励磁电流，便是MOS的Ipk。
凤之谷
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哪位前辈能指教一下：MOSFET电流有效值如何计算？频率是100K，死区时间设置为0.3us，实测满载时候基本占空比（移相角）打到基本最大量程，没多少余量了。假设此时占空比为D=0.45，那么按照Ip=5.25A/(2D)=5.83A，Irms=Ip*√D=3.9A，所用的管子Rdson为0.1Ω，则通态损耗为Ploss=1.5W。 不过实际测试发现，这个峰值电流Ip远远不止计算出来的5.83A，差不多9A之高了，这是怎么回事呢？
