回复智能未来：看来下一代封装技术就是混合键合没跑了
智能未来
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三星在上个月于科罗拉多州举行的 2024 年 IEEE 第 74 届电子元件和技术会议上发表题为《用于 HBM 堆叠的 D2W（芯片到晶圆）铜键合技术研究》的论文中表示，16 个堆栈及以上的 HBM 混合键合是必须的。 混合键合是下一代封装技术，当芯片通过硅通孔 (TSV) 或微观铜线垂直堆叠时，堆叠之间没有凸块。它们是直接堆叠的。因此，混合键合也称为直接键合。 据悉，为了实现16层HBM内存的堆叠，三星在降低高度方面下了大功夫。根据三星的规划，HBM4的内存高度限制在775微米以内，这意味着在这个高度范围内需要封装17个芯片。为了实现这一目标，三星采用了混合键合技术来缩小芯片间的间隙，从而实现了更高的集成度和便携性。
