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为什么电源加在PMOS的漏极不是源极 如图所示,...

 酱香饼

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为什么电源加在PMOS的漏极不是源极
如图所示,USB和锂电池双供电电路。
当VUSB进行供电时(5V),PMOS的G端:为5V,此时PMOS不导通,电压经过二极管D1直接到达VCC。
当VUSB断开后,PMOS的G端的电压(5V)由电阻R1下拉到GND,此时PMOS导通,VCC由VBAT(为锂电池)供电。
我不明白的是不是应该Vbat接到S极,让D极作为输出么?按图中,就算VGS没到阈值,Q1也是导通的,那G端控制的意义在哪里?

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由于二极管D1的存在,即使PMOS的漏极(D)电压接近VUSB(但略低,因为二极管有压降),源极(S)的电压也会通过D1被钳位在VUSB电压减去二极管压降的值。
MOS管内部寄生二极管的正向压降和普通二极管是一样的。P沟MOS管导通后,其管压降远比内部寄生二极管正向电压小。无论是P沟道,还是N沟道,G极电压都是与S极做比较的P沟道,Ug小于Us导通,VUSB断开后,PMOS的G端通过电阻R1被下拉到GND,G低于S端了,满足导通条件

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