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如何调节带隙基准中电阻工艺角的问题 做了一个带隙...

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如何调节带隙基准中电阻工艺角的问题
做了一个带隙基准电路,在Cadence仿真仿工艺角时候,电阻工艺角变化会导致电路温度系数变得很差,输出电压变化很大,怎样调节电路中电阻的匹配去解决这个问题呢做了一个带隙基准电路,电阻已经选择温度系数最好的了,如何做到与下面的二极管的温度特性匹配呢,不想用trim或者数字修调,只通过调电路能通过电阻的工艺角吗?如何调这个电路,能细致的讲解一下吗,多谢,电路图如下

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既然你不想使用trim或数字修调,那么就需要更加仔细地考虑如何匹配二极管的温度特性。你可以通过选择具有相似温度特性的二极管来实现这一点,或者通过调整电路结构来补偿二极管的温度漂移。
1、看到的资料里面没有特别强调该选用什么电阻,我个人是仿真发现所用多晶硅电阻在几百个ppm/°C,计算时考虑这一点再进行一阶温度补偿。2、没有特地针对电阻或者是mos管跑工艺角,但通过蒙特卡洛仿真确实有温度系数出现恶化的情况,从20ppm变到最差有近100ppm,直觉是失配引起的。所以工艺角下温度系数恶化到了什么程度呢?确定是电阻工艺角引起的吗?输出电压随工艺变化有十几毫伏不能避免吧?

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