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晶圆制造巨变在即,ASML光刻机预告2033年0.5nm制程可能

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ASML的光刻机分为Low NA EUV和High NA两大系列,前者孔径0.33,预计2025年量产2nm,2027年达1.4nm;后者孔径0.55,从2nm以下工艺起步,预计2029年量产1nm,配合多重曝光2033年或达0.5nm。未来Hyper NA光刻机孔径0.75及以上,预计2030年推出,或能支持0.2nm工艺量产。

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回复黑科技看看:从350nm开始,半导体制程就不再是栅极长度和半节距的实际物理尺度了,目前都是纳米数字游戏,远远低于摩尔定律的速度,不用太担心
回复黑科技看看:台积电营销负责人Godfrey Cheng其实曾经也亲口承认,从0.35微米开始,工艺数字代表的就不再是物理尺度,而7nm/N7只是一种行业标准化的属于而已,此后还会有N5等说法。同时,他表示也确实需要寻找一种新的语言来对工艺节点进行描述。
回复黑科技看看:10nm以下,成本会越来越高,摩尔定律只适用10nm以上,重点是硅的物理极限马上到了!
回复黑科技看看:asml的光刻机的价格是根据晶圆厂代工利润的定的,新型光刻机生产效率高很多,成本只增加一些,但是他把价格提高了几倍,暴利。
回复黑科技看看:ASML的LOWNAEUV光刻机用于制造7nm及以下芯片,可支持到2nm,成本较低。下一代HighNAEUV光刻机支持更先进制程。超级HyperNAEUV光刻机或支持到0.2nm以下制程,但面临技术挑战。纳米制程仅为营销说法,实际金属间距更重要。光刻技术路线面临终结。

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