回复黑科技看看:从350nm开始,半导体制程就不再是栅极长度和半节距的实际物理尺度了,目前都是纳米数字游戏,远远低于摩尔定律的速度,不用太担心
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ASML的光刻机分为Low NA EUV和High NA两大系列,前者孔径0.33,预计2025年量产2nm,2027年达1.4nm;后者孔径0.55,从2nm以下工艺起步,预计2029年量产1nm,配合多重曝光2033年或达0.5nm。未来Hyper NA光刻机孔径0.75及以上,预计2030年推出,或能支持0.2nm工艺量产。