回复智能未来：所述Micro LED芯片包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接
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国星半导体公布了“一种批量转移Micro LED芯片的方法和装置”，“一种多合一Micro LED芯片及其制作方法”两项发明专利，专利均在授权阶段中。 “一种批量转移Micro LED芯片的方法和装置”：该发明专利公开了一种批量转移Micro LED芯片的方法，包括：提供一带有通孔的基板；在基板的表面喷洒吸附液体；将Micro LED芯片放置在基板的表面；使通孔处于负压状态，将Micro LED芯片吸附在通孔上；除去通孔以外的Micro LED芯片和吸附液体；除去通孔内的吸附液体。 “一种多合一Micro LED芯片及其制作方法”：该发明公开了一种多合一Micro LED芯片及其制作方法，所述Micro LED芯片包括至少三个发光结构、第一绝缘层、第二绝缘层、第一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。本发明在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。
