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铠侠放出豪言:2027年实现1000层堆叠3D NAND

 芯闻速递

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铠侠最近公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。

自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。

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回复芯闻速递:这为芯片提供了阶梯状轮廓,随着层数的增加,阶梯所需的芯片面积也会增加。
回复芯闻速递:提高 3D NAND 芯片的密度并非仅仅意味着增加层数,更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。
回复芯闻速递:涉及到制造过程中遇到的新问题,所涉及到的技术带来的挑战是巨大的。

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