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我国科学家找到更耐疲劳的铁电材料,存储芯片将拥有更长寿命

 电子大世界

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据国内媒体报道称,四川科学家借力AI 开发出“耐疲劳铁电材料”,让存储芯片无限次擦写。之前有关TLC、QLC的争议不断,前者成本低,容量大,但速度慢,寿命短(企业级TLC普遍在7000~10000PE),而后者的寿命则更差,不过之前长江存储宣布,旗下QLC闪存擦写4000次,而如果上述新材料被运用到这些领域,可能会带来行业新的变革。

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回复电子大世界:学术成果到实际商用,还有的等了,也有可能因为成本或者某些缺陷,或者资本原因无法商用
回复电子大世界:目前就装机论坛的现状来看,固态上主控芯片暴毙的现象往往比存储芯片坏的快

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